講座通知:Ge基柵極工程、結工程以及溝道應變工程

作者:本站編輯點擊:293時間:2019-12-31

題目:Ge基柵極工程、結工程以及溝道應變工程

報告人:張睿 博士

時間:2020年1月3日上午10:00

地點:武漢大學湖濱會議室

歡迎各位師生踴躍參加!

 

摘要:

由於Ge具有比Si高得多的空穴和電子遷移率,因此Ge MOSFET器件被認為是未來高性能場效應晶體管器件最有希望的技術方案之一。在Si平台上實現高遷移率Ge溝道的集成,是推進基於Ge材料的新型半導體器件進入實用化的關鍵。本報告將從Ge基柵極工程、結工程以及溝道應變工程等幾方麵,對Ge器件的應用前景、以及新材料半導體器件的應用場景拓展進行探討。

 

主講人簡介:

張睿,2012年博士畢業於日本東京大學電子工程係,現為浙江大學副教授。主要新型半導體器件工藝及載流子輸運機理方麵的研究,包括超薄柵極堆垛、遷移率提升技術以及Si基異質半導體材料集成等。近年來在IEDM、VLSI Symposia、IEEE TED和IEEE EDL等主流學術期刊和學術會議上發表研究論文100餘篇,SCI引用2000餘次。研究成果被IEDM評為“世界上運算速度最快的鍺器件” ,作為IEDM、VLSI Symposia等會議的亮點論文進行展示,並被《日本產業經濟》、《Semiconductor Today》等多家行業媒體專題報導。張睿博士曾獲得VLSI Symposia最佳論文獎、IEEE Paul Rappaport獎等獎項十餘項,並獲得浙江省傑出青年基金資助。